Novo
Samsung 870 EVO
Capacity 1TB
Form Factor 2.5"
Interface SATA III
Read Speed 560 MB/s
NAND TLC
Endurance 600 TBW
59 Pontuação Geral
Sem preço atual de lojas
Resumo
Prós e contras
Prós
- Strong endurance (83rd percentile) 83rd
- Strong feature (79th percentile) 79th
Contras
As provas
Desempenho
Especificações
Especificações completas
Drive
| Capacity | 1000 |
| Form Factor | 2.5" |
| Interface | SATA III |
| Protocol | SATA |
| External | No |
Performance
| Sequential Read (MB/s) | 560 |
| Sequential Write (MB/s) | 530 |
| Random Read (IOPS) | 98000 |
| Random Write (IOPS) | 88000 |
Hardware
| NAND | TLC |
| DRAM Cache | No |
| Controller | MKX |
Reliability
| Endurance (TBW) | 600 |
| Warranty (years) | 5 |
Features
| Hardware Encryption | Yes |
Face à concorrência
| Spec | Samsung 870 EVO | Western Digital WD_BLACK SN850X | Crucial T710 | Kingston Fury Renegade SFYRDK/2000G | Seagate FireCuda 530R | SanDisk Western Digital WDS400T1X0M |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Capacity | 1TB | 4TB | 4TB | 2TB | 4TB | 4TB |
| Form Factor | 2.5" | M.2 2280 | M.2 2280 | M.2 2280 | M.2 2280 | M.2 2280 |
| Interface | SATA III | PCIe 4.0 x4 | PCIe 5.0 x4 | PCIe 4.0 x4 | PCIe 4.0 x4 | PCIe 5.0 x4 |
| Seq Read | 560 MB/s | 7,300 MB/s | 14,500 MB/s | 7,300 MB/s | 7,400 MB/s | 14,900 MB/s |
| Nand Type | TLC | TLC | TLC | TLC | TLC | TLC |
| Dram Cache | false | true | false | true | false | true |
| Endurance | 600 TBW | 2400 TBW | 2400 TBW | 2000 TBW | 5050 TBW | 2400 TBW |
| Compare | Compare | Compare | Compare | Compare |
| Produto | Speed | Random | Feature | Capacity | Endurance |
|---|---|---|---|---|---|
| Samsung 870 EVO | 37.3 | 43 | 78.5 | 54.6 | 83 |
| Western Digital WD_BLACK SN850X Compare | 88 | 94.8 | 93.8 | 92.8 | 81 |
| Crucial T710 Compare | 98.7 | 98.7 | 85.6 | 92.8 | 86 |
| Kingston Fury Renegade SFYRDK/2000G Compare | 92.7 | 93.4 | 93.8 | 78.4 | 94 |
| Seagate FireCuda 530R Compare | 92.2 | 96.2 | 53.3 | 92.8 | 95.6 |
| SanDisk Western Digital WDS400T1X0M Compare | 97.4 | 99 | 97.4 | 92.8 | 81 |
Pontuações por utilização
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