Samsung 4GB DDR3-1333 CL9 SODIMM (M471B5273DH0-CH9)
Netac
Lo que dicen los compradores
Samsung 4GB DDR3-1333 CL9 SODIMM (M471B5273DH0-CH9)
Este módulo de memoria Samsung de 4 GB DDR3 SO-DIMM es muy elogiado por su compatibilidad y mejora de rendimiento en portátiles antiguos. La mayoría de los usuarios informan de una instalación sencilla y reconocimiento inmediato por el sistema, y varios señalan que coincide perfectamente con la memoria existente. Algunos experimentaron envío lento o una unidad defectuosa, pero la opinión general es muy positiva.
Ventajas
- Instalación sencilla
- Reconocimiento inmediato por el sistema
- Compatibilidad con portátiles antiguos
- Mejora del rendimiento
- Coincide con la memoria existente
Desventajas
- Envío lento para algunos
- Unidad defectuosa ocasional
Netac
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Puntuaciones
Especificaciones
| Samsung 4GB DDR3 SODIMM | Netac | |
|---|---|---|
| Memory | ||
| Type | DDR3 | DDR4★ |
| Form Factor | SODIMM | UDIMM |
| Total Capacity | ||
| Modules | 1 | 2★ |
| Per Module | ||
| Pins | 204 | 288 |
| Rank | 2Rx8 | — |
| Performance | ||
| Speed | ||
| CAS Latency | 9★ | 16 |
| Timings | 09-11-F3 | — |
| Voltage | 1.5 | 1.350000023841858★ |
| Class | ||
| ECC | ✗ | ✗ |
| Registered | ✗ | ✗ |
| OC Profile | — | Intel XMP 2.0 |
| Features | ||
| RGB | ✗ | ✗ |
| Heat Spreader | ✗ | ✓★ |
Pros y Contras
Samsung 4GB DDR3-1333 CL9 SODIMM (M471B5273DH0-CH9)
- Strong affordability (95th percentile)95th %ile
- Strong latency (67th percentile)
- Below average speed (8th percentile)8th %ile
- Below average capacity (9th percentile)9th %ile
- Below average feature (18th percentile)18th %ile
Netac
- Strong latency (88th percentile)88th %ile
- Strong affordability (79th percentile)
- Strong feature (75th percentile)
- Strong capacity (71st percentile)
- Below average social proof (2nd percentile)2nd %ile
Precios
Samsung 4GB DDR3-1333 CL9 SODIMM (M471B5273DH0-CH9) ofrece 2.3x mejor relación calidad-precio
Veredicto
Scores 58 overall, wins 5 of 5 usage categories and 7 of 16 specs.