Samsung 990 EVO
Inland TN320
Was Käufer sagen
Samsung 990 EVO
Die Nutzer sind insgesamt sehr zufrieden mit dieser Samsung-SSD und loben die schnellen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten, die einfache Installation und das gute Preis-Leistungs-Verhältnis für Budget-Builds. Einige weisen darauf hin, dass eine DRAM-basierte Alternative wie die 990 EVO PLUS preislich nahe liegt und möglicherweise die bessere Wahl wäre, und einige erwähnen kleinere Einrichtungshürden wie zusätzliche Schrauben oder Firmware-Updates. Insgesamt wird sie als solides, zuverlässiges Laufwerk für Gaming und Speichererweiterung angesehen.
Vorteile
- Schnelle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten
- Einfache Installation
- Gutes Preis-Leistungs-Verhältnis
- Zuverlässige Samsung-Qualität
- Ideal für Gaming-Speicher
Nachteile
- DRAM-loses Design
- Firmware-Update erforderlich
- Zusätzliche Schrauben nötig
- Kühlkörperinstallation knifflig
Inland TN320
Noch kein Kundenfeedback
Bewertungen
Spezifikationen
| Samsung 990 EVO | Inland TN320 | |
|---|---|---|
| Drive | ||
| Capacity | ||
| Form Factor | M.2 2280 | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 4.0 x4 | PCIe 3.0 x4 |
| Protocol | NVMe | NVMe |
| PCIe Generation | 4★ | 3 |
| External | ✗ | ✗ |
| Performance | ||
| Sequential Read (MB/s) | ||
| Sequential Write (MB/s) | ||
| Random Read (IOPS) | Keine Daten | |
| Random Write (IOPS) | Keine Daten | |
| Hardware | ||
| NAND | TLC | TLC |
| DRAM Cache | ✗ | — |
| Controller | Samsung in-house Controller | — |
| Reliability | ||
| Endurance (TBW) | ||
| MTBF (hours) | Keine Daten | |
| Warranty (years) | 5 | 6★ |
| Features | ||
| Heatsink | ✗ | — |
| Hardware Encryption | ✓★ | — |
Vor- & Nachteile
Samsung 990 EVO
- Strong social proof (100th percentile)100th %ile
- Strong random (90th percentile)90th %ile
- Strong endurance (83rd percentile)83rd %ile
- Strong user sentiment (79th percentile)
Inland TN320
- Strong endurance (99th percentile)99th %ile
- Below average capacity (17th percentile)17th %ile
Fazit
Scores 87 overall, wins 6 of 6 usage categories and 7 of 18 specs.